可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過電流保護的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護措施有哪些？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋砜聪隆?a href='http://www.mbabeikao.com/product/24' target='_blank' class='key_tag'>可控硅調(diào)光模塊模塊產(chǎn)生出的過電流的原因有很多種，當變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃迎h(huán)流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因，都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。可控硅調(diào)光模塊模塊裝置中采用的過電流保護措施       

接下來可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過電流保護管理措施：

1、交流進線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時會存在交流壓降。

2、電檢測和過電流檢測繼電器電流與設定值進行比較，當取樣電流超過設定值時，比較器輸出信號使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時一定要停止。

3、直流快速開關對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動作時間只有2ms的直流快速開關，它可以先于快速熔斷器斷開，從而保護了可控硅模塊，但價格昂貴所以使用不多。

4、可控硅調(diào)光模塊將快速熔斷器與普通熔斷器進行對比，快速熔斷器是專門可以用來作為保護電力半導體功率控制器件過電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過6倍額定工作電流時其熔斷時間成本小于工頻的一個周期（20ms）。 快速熔斷器可與交流側(cè)，直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者直接效果更好。通常來說快速熔斷器的額定電流（有效值IRD）應小于保護可控硅模塊額定方均通態(tài)電流（即有效值）Itrms即1.57ITAV，同時要大于流過可控硅的實際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。

以上就是可控硅調(diào)光模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過電流保護管理措施。希望通過這篇文章對您有所幫助。