可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過(guò)電流保護(hù)的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護(hù)措施有哪些？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋?lái)看下。可控硅調(diào)光模塊模塊產(chǎn)生出的過(guò)電流的原因有很多種，當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高或過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等原因，都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過(guò)正常的工作電流。由于可控硅模塊的過(guò)流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過(guò)電流保護(hù)可控硅模塊的措施。可控硅調(diào)光模塊模塊裝置中采用的過(guò)電流保護(hù)措施       

接下來(lái)可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過(guò)電流保護(hù)管理措施：

1、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時(shí)會(huì)存在交流壓降。

2、電檢測(cè)和過(guò)電流檢測(cè)繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，比較器輸出信號(hào)使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時(shí)一定要停止。

3、直流快速開關(guān)對(duì)于變流裝置功率大且短路可能性較多的場(chǎng)合，可采用動(dòng)作時(shí)間只有2ms的直流快速開關(guān)，它可以先于快速熔斷器斷開，從而保護(hù)了可控硅模塊，但價(jià)格昂貴所以使用不多。

4、可控硅調(diào)光模塊將快速熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行對(duì)比，快速熔斷器是專門可以用來(lái)作為保護(hù)電力半導(dǎo)體功率控制器件過(guò)電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過(guò)6倍額定工作電流時(shí)其熔斷時(shí)間成本小于工頻的一個(gè)周期（20ms）。 快速熔斷器可與交流側(cè)，直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者直接效果更好。通常來(lái)說(shuō)快速熔斷器的額定電流（有效值IRD）應(yīng)小于保護(hù)可控硅模塊額定方均通態(tài)電流（即有效值）Itrms即1.57ITAV，同時(shí)要大于流過(guò)可控硅的實(shí)際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。

以上就是可控硅調(diào)光模塊裝置中有可能可以采用呢的四種過(guò)電流保護(hù)管理措施。希望通過(guò)這篇文章對(duì)您有所幫助。